アンサンブルNV-センターのデコヒーレンス源の探索
眞榮 力, 増山 雄太, 宮川 仁, 阿部 浩之, 石井 秀弥, 誠一 佐伯, 小野田 忍, Takashi Taniguchi, 大島 武, 寺地 徳之
Abstract
室温で長いスピン寿命を有するNV-センターは次世代磁気センサーとして期待される。特にスピン寿命:T2は磁気感度を決める重要パラメーターであり、T2の延伸が必須である。この課題のために、NV-センターのT2を律速するデコヒーレンス源の構成要素を調べた。本研究では、NV-スピンと磁気双極子相互作用を介するデコヒーレンス源:スピンバスに着目した。最初に電子線照射+アニール処理によってppmオーダーのNVセンターを形成し、T2を複数のダイヤモンドサンプルで評価した。T2と[NPM]( =[NV-]+[NV0]+[Ns0])との反比例関係から、T2はNV-センター自身、中性状態のNVセンター(NV0)、置換窒素(Ns0)の3種類のスピンバスによって律速することが分かった。