NV-センターのデコヒーレンス源の探索
眞榮 力, 増山 雄太, 宮川 仁, 阿部 浩之, 石井 秀弥, 誠一 佐伯, 小野田 忍, Takashi Taniguchi, 大島 武, 寺地 徳之
Abstract
室温で長いスピン寿命を有するN Vセンターは次世代磁気センサーとして期待される。特にスピン寿命T2磁気は感度を決める重要パラメーターであり、T2の延伸が必須である。この課題のために、NVセンターのT2を律速するデコヒーレンス源の構成要素を調べ た 。結果、T2はNVセンター自身、中性状態のNVセンターNV0、置換窒素Ns0の3種類のスピンバスによって律速することが分かった。