大気圧熱処理におけるIV族Vセンター形成の温度依存性評価
梅津智弥, Kimura Kosuke, 忍 小野田, 新谷 一騎, 蓮沼 倫弥, Biswas Biswajit, 竹中 康太, Sone Hayato
Abstract
ダイヤモンド中のIV 族Vセンターは極低温においてミリ秒単位の長いスピン緩和時間が期待できるほか、ゼロフォノン線(ZPL: Zero Phonon Line)からの発光が強く、単一光子源として応用が期待される。我々はIV族Vセンターの効率的な形成のため、通常用いられる高温高圧アニールではなく、汎用ランプ加熱炉を用いた大気圧下での熱処理最適化を進めてきた。我々の先行研究から、1800°Cの大気圧条件下において、熱処理時間が長くなるにしたがって形成効率が向上するが、SiVにおいてはピークを迎えた後に減少することを見出した[2]。SiVに関しては、1800℃では温度が高すぎる可能性が考えられる。本研究では、1000~1800°Cの温度領域において、IV族Vセンターの形成効率を調べた。