量子もつれNVセンターを用いた量子磁場センシングへの取り組み
木村 晃介, 小野田 忍, Wataru Kada, 寺地 徳之, Junichi Isoya, 馬場 智也, 後藤 政哉, 花泉 修, 大島 武
Abstract
有機化合物イオン注入によって形成されたNVセンター対の量子もつれ状態生成と、量子もつれを用いた磁場センシングについて報告する。共鳴周波数の異なるNVセンター対を用いて、量子もつれ状態を生成し、その忠実度を評価した。忠実度の評価では、考案したパルスシーケンスを用いて量子トモグラフィを測定した。忠実度は0.76と計算され、もつれ状態の生成が確認できた。