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2次元NVアンサンブルのスピン特性向上

Kyotaro Kanehisa, 哲也 立石, 薗田隆弘, 悠太 齋藤, 洸介 中村, 川勝一斗, 畑雄貴, 希朗 永岡, 石井邑, 孝至 谷井, 忍 小野田, Alastair D. Stacey, 順一 磯谷, 省三 河野, 洋 川原田, Shinobu Onoda

Published Feb 28, 2020• 0 citations
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Abstract

NVアンサンブルの量子プロセッサ応用には、NVアンサンブルを2次元に配列することが不可欠である。ゆえに、我々はダイヤモンド表面の窒素終端を起源とする2次元NVアンサンブルを作製した。[111]高配向の実現には、窒素ラジカル照射後生じたアミノ基を除去する必要があるため、アニール処理を導入した。その結果、[111]配向したNVアンサンブルの割合が上昇した。また、scaling factorが向上した。

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