高圧合成ダイヤモンド結晶中のNVセンタ―の電荷状態およびRabiコントラスト分布
増山 雄太, 眞榮 力, 阿部 浩之, 谷口 尚, 寺地 徳之
Abstract
本研究では、我々が開発した柱状励起蛍光顕微鏡(CEFM) [2] を用いてミリメートルスケールでのNVセンターの量子特性や電荷状態の空間分布およびレーザーパワー依存性を評価し、結晶内の量子特性のばらつきの理解を深め、高感度化への指針を得ることを目的とする。
増山 雄太, 眞榮 力, 阿部 浩之, 谷口 尚, 寺地 徳之
本研究では、我々が開発した柱状励起蛍光顕微鏡(CEFM) [2] を用いてミリメートルスケールでのNVセンターの量子特性や電荷状態の空間分布およびレーザーパワー依存性を評価し、結晶内の量子特性のばらつきの理解を深め、高感度化への指針を得ることを目的とする。