Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Log inSign up
Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Blog
Job Board
Q3AS

© 2026 Aqora Quantum S.A.S.

TermsPrivacyLegal Notice

Bulletin of the American Physical Society

Characterization of superconducting transport in CMOS PtSi transistors for scalable qubits

Tom Doekle Vethaak, Laurie E. Calvet, John P. Snyder, F. Lefloch

Published Mar 17, 2021• 0 citations
OpenAlex

Related papers

Design and evaluation of superconducting nanostructured transistors for SFQ-CMOS hybrid memory

Sano Kyosuke, Kohei Maruyama, Tanaka Masamitsu +3 more

IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.•Oct 3, 2018•0 citations

CMOS Compatible Josephson Junctions for Superconducting Qubit Applications

Tsvetan Ivanov, Anton Potočnik, Danny Wan +10 more

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)•Sep 29, 2020•0 citations

Silicide-based Josephson field effect transistors for superconducting qubits

Tom Doekle Vethaak

Scalability in the fabrication and operation of quantum computers is key to move beyond the NISQ era. So far, superconducting transmon qubits based on aluminum Josephson tunnel junctions have demonstrated the most advanced results, though this technology is difficult to implement with large-scale facilities. An alternative "gatemon" qubit has recently appeared, which uses hybrid superconducting/semiconducting (S/Sm) devices as gate-tuned Josephson junctions. Current implementations of these use nanowires however, of which the large-scale fabrication has not yet matured either. A scalable gatemon design could be made with CMOS Josephson Field-Effect Transistors as tunable weak link, where an ideal device has leads with a large superconducting gap that contact a short channel through high-transparency interfaces. High transparency, or low contact resistance, is achieved in the microelectronics industry with silicides, of which some turn out to be superconducting. The first part of the experimental work in this thesis covers material studies on two such materials: $\text{V}_3\text{Si}$ and PtSi, which are interesting for their high $T_\text{c}$, and mature integration, respectively. The second part covers experimental results on 50 nm gate length PtSi transistors, where the transparency of the S/Sm interfaces is modulated by the gate voltage. At low voltages, the transport shows no conductance at low energy, and well-defined features at the superconducting gap. The barrier height at the S/Sm interface is reduced by increasing the gate voltage, until a zero-bias peak appears around zero drain voltage, which reveals the appearance of an Andreev current. The successful gate modulation of Andreev current in a silicon-based transistor represents a step towards fully CMOS-integrated superconducting quantum computers.

arXiv:2209.02721•Sep 6, 2022•4 citations

A Quantum Transistor with Superconducting Qubits

Niels Jakob Søe Loft, Lasse Bjørn Kristensen, Christian Kraglund Andersen +1 more

Bulletin of the American Physical Society•Mar 6, 2018•0 citations

Silicide-based Josephson field effect transistors for superconducting qubits

Tom Doekle Vethaak

Circuits supraconducteurs en technologie silicium L’évolution de la fabrication et l’exploitation des ordinateurs quantiques est essentielle pour dépasser l’ère NISQ. Jusqu’à présent, les qubits transmon supraconducteurs basés sur des jonctions tunnel Josephson en aluminium ont donné les résultats les plus avancés, bien que cette technologie soit difficile à mettre en oeuvre dans des installations à grande échelle.Un autre qubit "gatemon" est apparu récemment, qui utilise des dispositifs hybrides supraconducteurs/semiconducteurs (S/Sm) comme jonctions Josephson accordées par un contrôle électrostatique. Cependant, les implémentations actuelles de ces dispositifs utilisent des nanofils, dont la fabrication à grande échelle n’a pas encore atteint sa maturité. Une conception évolutive de gatemon pourrait être réalisée avec des transistors à effet de champ Josephson CMOS comme lien faible accordable, où un dispositif idéal est constitué de réservoirs supraconducteurs qui contactent un canal court par des interfaces à haute transparence. Une transparence élevée, ou une faible résistance de contact,est obtenue dans l’industrie de la microélectronique avec des siliciures, dont certains s’avèrent être supraconducteurs. La première partie du travail expérimental de cette thèse couvre les études de matériaux sur deux de ces matériaux : V3Si et PtSi, qui sont intéressants pour leur Tc élevé, et leur intégration mature. La deuxième partie couvre des résultats expérimentaux sur des transistors PtSi de longueur de grille 50nm, où la transparence des interfaces S/Sm est modulée par la tension de grille. A basse tension,le transport ne montre aucune conductance à basse énergie, et des pics de cohérence bien définis au niveau du gap supraconducteur. La hauteur de la barrière à l’interfaceS/Sm est réduite en augmentant la tension de grille, jusqu’à ce qu’un pic de conductance apparaisse autour d’une tension de drain nulle, ce qui révèle l’apparition d’un courant d’Andreev. La modulation du courant d’Andreev par une grille dans un transistor à base de silicium, représente une étape vers des ordinateurs quantiques supraconducteurs entièrement intégrés en CMOS.

•Jul 7, 2021•0 citations

Implementing Qubits with Superconducting Integrated Circuits

Michel Devoret, John M. Martinis

Springer eBooks•Apr 2, 2007•54 citations
Scalability in the fabrication and operation of quantum computers is key to move beyond the NISQ era. So far, superconducting transmon qubits based on aluminum Josephson tunnel junctions have demonstrated the most advanced results, though this technology is difficult to implement with large-scale facilities. An alternative "gatemon" qubit has recently appeared, which uses hybrid superconducting/semiconducting (S/Sm) devices as gate-tuned Josephson junctions. Current implementations of these use nanowires however, of which the large-scale fabrication has not yet matured either. A scalable gatemon design could be made with CMOS Josephson Field-Effect Transistors as tunable weak link, where an ideal device has leads with a large superconducting gap that contact a short channel through high-transparency interfaces. High transparency, or low contact resistance, is achieved in the microelectronics industry with silicides, of which some turn out to be superconducting. The first part of the experimental work in this thesis covers material studies on two such materials: V3Si\text{V}_3\text{Si}V3​Si and PtSi, which are interesting for their high TcT_\text{c}Tc​, and mature integration, respectively. The second part covers experimental results on 50 nm gate length PtSi transistors, where the transparency of the S/Sm interfaces is modulated by the gate voltage. At low voltages, the transport shows no conductance at low energy, and well-defined features at the superconducting gap. The barrier height at the S/Sm interface is reduced by increasing the gate voltage, until a zero-bias peak appears around zero drain voltage, which reveals the appearance of an Andreev current. The successful gate modulation of Andreev current in a silicon-based transistor represents a step towards fully CMOS-integrated superconducting quantum computers.
Circuits supraconducteurs en technologie silicium L’évolution de la fabrication et l’exploitation des ordinateurs quantiques est essentielle pour dépasser l’ère NISQ. Jusqu’à présent, les qubits transmon supraconducteurs basés sur des jonctions tunnel Josephson en aluminium ont donné les résultats les plus avancés, bien que cette technologie soit difficile à mettre en oeuvre dans des installations à grande échelle.Un autre qubit "gatemon" est apparu récemment, qui utilise des dispositifs hybrides supraconducteurs/semiconducteurs (S/Sm) comme jonctions Josephson accordées par un contrôle électrostatique. Cependant, les implémentations actuelles de ces dispositifs utilisent des nanofils, dont la fabrication à grande échelle n’a pas encore atteint sa maturité. Une conception évolutive de gatemon pourrait être réalisée avec des transistors à effet de champ Josephson CMOS comme lien faible accordable, où un dispositif idéal est constitué de réservoirs supraconducteurs qui contactent un canal court par des interfaces à haute transparence. Une transparence élevée, ou une faible résistance de contact,est obtenue dans l’industrie de la microélectronique avec des siliciures, dont certains s’avèrent être supraconducteurs. La première partie du travail expérimental de cette thèse couvre les études de matériaux sur deux de ces matériaux : V3Si et PtSi, qui sont intéressants pour leur Tc élevé, et leur intégration mature. La deuxième partie couvre des résultats expérimentaux sur des transistors PtSi de longueur de grille 50nm, où la transparence des interfaces S/Sm est modulée par la tension de grille. A basse tension,le transport ne montre aucune conductance à basse énergie, et des pics de cohérence bien définis au niveau du gap supraconducteur. La hauteur de la barrière à l’interfaceS/Sm est réduite en augmentant la tension de grille, jusqu’à ce qu’un pic de conductance apparaisse autour d’une tension de drain nulle, ce qui révèle l’apparition d’un courant d’Andreev. La modulation du courant d’Andreev par une grille dans un transistor à base de silicium, représente une étape vers des ordinateurs quantiques supraconducteurs entièrement intégrés en CMOS.