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シリコンG中心を用いた超伝導光量子トランスデューサの検討

権田陸真, 上牧瑛, 伊藤大輔, 宮田隆太郎, 藤原太朔, 関口雄平, 岡飛湧芽, Michele Diego, キムビョンギ, 竹中　康太, 小野田　忍, Masahiro Nomura, 小坂英男

Published Sep 14, 2026• 0 citations

Abstract

超伝導量子回路を用いた量子ネットワークの実現には、各量子ノードで扱われるマイクロ波量子状態を、低損失に伝送可能な通信波長帯の光量子状態へと変換する量子トランスデューサ（QT）が不可欠である。シリコンオプトメカニカル結晶（Si-OMC）は、成熟した微細加工技術を背景に機械振動を介したマイクロ波-光QTとして有望であり、近年ではSi-OMCに統合可能な酸化膜上シリコン中で通信帯発光を示すG中心の光学特性も報告されている。そこで我々は、Si-OMC の機械モードとG中心の歪み結合、およびG中心と光共振器モードとの光学結合を利用し、高効率かつ低雑音なQTの実現を目指している。

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