Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Log inSign up
Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Blog
Job Board
Q3AS

© 2026 Aqora Quantum S.A.S.

TermsPrivacyLegal Notice

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

ТОНКАЯ СТРУКТУРА СПЕКТРА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В АЛМАЗЕ ПРИ МНОГОКРАТНОЙ ЭМИССИИ ОПТИЧЕСКОГО ФОНОНА В ХОДЕ АВТОЛОКАЛИЗАЦИИ ФОТОВОЗБУЖДЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

С. И. КУДРЯШОВ, А. О. Левченко, П. А. ДАНИЛОВ, Н. А. СМИРНОВ, А. Е. РУПАСОВ, Р. А. Хмельницкий, О. Е. Ковальчук, А. А. Ионин

Published Jan 1, 2020• 3 citations
Publisher
DOI
10.31857/s1234567820210016

Related papers

Расчет интенсивности вынужденного рассеяния при различной форме спектра широкополосной накачки

О.М. Вохник, В.И. Одинцов

Оптика и спектроскопия•Jan 1, 1980•0 citations

ТОНКАЯ СТРУКТУРА СПЕКТРА КРОССИНГ-РЕЗОНАНСА ВОЛНОВЫХ ПОЛЕЙ В НЕОДНОРОДНОЙ СРЕДЕ

Valter A. Ignatchenko, Dmitry S. Polukhin

Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики•Jan 1, 2020•0 citations

Фемтосекундное фотонное эхо в полимерной пленке, легированной молекулами красителя, при комнатной температуре

Леонтьев Андрей Владимирович, Иванин Константин Валерьевич, Лобков Владимир Сергеевич +4 more

Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки•Jan 1, 2006•0 citations

Анализ кривых спада сигналов фемтосекундного фотонного эха в пленке поливинилбутираля, легированной молекулами фталоцианина, снятых при комнатной температуре

Воробьев Артем Юрьевич, Самарцев Виталий Владимирович

Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки•Jan 1, 2008•0 citations

Исследование модели Хаббарда при половинном заполнении зоны

Юрий Александрович Изюмов, Yu. A. Izyumov, N. I. Chashchin

ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ХАББАРДА ПРИ ПОЛОВИННОМ ЗАПОЛНЕНИИ ЗОНЫ В условиях сильного кулоновского отталкивания электронов на узле решетки исследованы уравнения для собственно-энергетической части электронной функции Грина, выведенные авторами ранее методом производящего функционала.Эти уравнения имеют форму, близкую к той, которая соответствует самосогласованному борновскому приближению в теории слабой связи.В полученных уравнениях далее опускается зависимость собственной энергии от импульса, что соответствует пределу бесконечной размерности пространства.Численное решение интегральных уравнений, где все величины зависят только от частоты, приводит к результатам, согласующимся с данными теории динамического среднего поля.Показано, в частности, что при увеличении кулоновского отталкивания трехпиковая структура квазичастичного спектра сменяется двухпиковой и имеет место фазовый переход металл-диэлектрик.Предложенный метод может быть применен при исследовании других моделей теории сильно коррелированных систем.

Теоретическая и математическая физика•Jan 1, 2008•1 citation

Ансамбли NV- центров квантового качества в высокочистом алмазе после горячей имплантации и высокотемпературного отжига под давлением

Sergey N. Podlesny, И. А. Карташов, В П Попов

Квантовые устройства на спинах точечных дефектов широкозонных полупроводниках, например, NV центров и их ансамблях в алмазе привлекательны возможностью работы при комнатных температурах, однако время спиновой релаксации Т2 * зависит от других дефектов и обычно Т2 *<<Т2 – времени когерентной релаксации на узловых атомах азота Ns. Проблемой остается их создание в заданной области, единственным способом которого является имплантация, создающая массу других дефектов. Решить проблему “квантового качества” можно двумя способами. Во-первых, формированием сверхрешеток из узловых атомов азота с регулярными рельефом для их встраивания при росте из газовой фазы, а затем захватом вакансий, сформированных при локальном облучении и нагреве сфокусированным пучком, в соседние c азотом узлы. Во-вторых, внедрением одиночных ионов N+ имплантерами с регистрацией фотонной или электронной эмиссии от вошедшего в мишень иона или заряда на её поверхности, управляющих процессом переноса ионного пучка в новую точку.

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ•Sep 27, 2021•0 citations
ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ХАББАРДА ПРИ ПОЛОВИННОМ ЗАПОЛНЕНИИ ЗОНЫ В условиях сильного кулоновского отталкивания электронов на узле решетки исследованы уравнения для собственно-энергетической части электронной функции Грина, выведенные авторами ранее методом производящего функционала.Эти уравнения имеют форму, близкую к той, которая соответствует самосогласованному борновскому приближению в теории слабой связи.В полученных уравнениях далее опускается зависимость собственной энергии от импульса, что соответствует пределу бесконечной размерности пространства.Численное решение интегральных уравнений, где все величины зависят только от частоты, приводит к результатам, согласующимся с данными теории динамического среднего поля.Показано, в частности, что при увеличении кулоновского отталкивания трехпиковая структура квазичастичного спектра сменяется двухпиковой и имеет место фазовый переход металл-диэлектрик.Предложенный метод может быть применен при исследовании других моделей теории сильно коррелированных систем.
Квантовые устройства на спинах точечных дефектов широкозонных полупроводниках, например, NV центров и их ансамблях в алмазе привлекательны возможностью работы при комнатных температурах, однако время спиновой релаксации Т2 * зависит от других дефектов и обычно Т2 *<<Т2 – времени когерентной релаксации на узловых атомах азота Ns. Проблемой остается их создание в заданной области, единственным способом которого является имплантация, создающая массу других дефектов. Решить проблему “квантового качества” можно двумя способами. Во-первых, формированием сверхрешеток из узловых атомов азота с регулярными рельефом для их встраивания при росте из газовой фазы, а затем захватом вакансий, сформированных при локальном облучении и нагреве сфокусированным пучком, в соседние c азотом узлы. Во-вторых, внедрением одиночных ионов N+ имплантерами с регистрацией фотонной или электронной эмиссии от вошедшего в мишень иона или заряда на её поверхности, управляющих процессом переноса ионного пучка в новую точку.