The Japan Society of Applied Physics
Fabrication of Cross-type Device of BSCCO for Systematic Study of Switching Characteristics in Intrinsic Josephson Junction
Hitoshi Kambara
Abstract
ビスマス系高温超伝導体(BSCCO)は, 超伝導転移温度が高く, 大面積の結晶が比較的容易に 育成でき、また劈開性(加工性)が良いことから, その固有ジョセフソン接合を利用したデバイ スの研究が行われてきた. 特に量子ビットとしての応用を目的とした, 微小接合におけるスイッ チング特性の研究[1]は重要である. しかし, 先行研究では集束イオンビーム(FIB)加工の使用な どに起因した接合形状やキャリアドープ量の制御性の悪さおよび素子特性の経時劣化が問題とな っており, 得られたデータは再現性や系統性に欠けているため, 現象の解明の障害となっている. 我々は今回, 両面劈開プロセス[2]により作製された SQUID[3]を参考に, スイッチング特性の測 定に適した微小交差構造素子を作製した(Fig. 1). 材料物質は浮遊帯域溶融法により育成された Bi2Sr2CaCu2O8 単結晶を用いた. 交差構造を用いることで接合形状の対称性および制御性が向上し, フォトリソグラフィーによるパターニングでも5ミクロン角未満の面積を持つ素子を再現性良く 作製することに成功した. また, エッチングにArイオンミリングのみを用いることで, FIB使用の 際に問題となる素子の経時劣化を抑制し, 素子作製後の酸化還元処理によるドープ量制御を可能 とした(Fig. 2). また, 素子の面積および層数の減少により, 低温アニール(~100 °C)のみを用 いて転移温度や臨界電流を均一に制御することにも成功している. これにより, 同一の固有接合 素子を用いた, スイッチング特性の系統的な測定が可能となった.