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Acta Physica Sinica

利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性 87 Rb原子

Xiaolin Li, 唐九耀, 王育竹

Published Nov 20, 2007• 0 citations
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Abstract

利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时（该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级）,势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×10^6个^87Rb原子被转移到Z形磁阱中.

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利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时（该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级）,势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×10^6个^87Rb原子被转移到Z形磁阱中.
提出在光谱灯中采用蘑菇形和圆饼形灯泡代替传统的球形灯，运用高功率射频源成功地点燃了这两种灯，并进行了光抽运＾８＾７Ｒｂ激射器实验，它们的发射光强分别为球形灯的２．３和２倍，对应激射器最输出功率的最佳共振泡温度分别升高５和４℃，激射器最高输出功率由－６７．５ｄＢｍ分别提高到－６０和－６２ｄＢｍ。实测＾８＾７Ｒｂ激射器的短期频率稳定度的改善与输出功率的提高相符合。