Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Log inSign up
Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Blog
Job Board
Q3AS

© 2026 Aqora Quantum S.A.S.

TermsPrivacyLegal Notice

Nanoindustry Russia

ФОРМИРОВАНИЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЁНОК NB3AL ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ОДНОФОТОНН ОГО ДЕТЕКТОРА В ПЛАНАРНЫХ ИОНН ЫХ ЛОВУШКАХ

С.Ю. Хыдырова, К.М. Моисеев, В.А. Кулаков, А.И. Ломакин, Б.Р. Гусейнов, Л.Е. Лысов, В.В. Ковалюк, Барков Константин Александрович, Г.Н. Гольцман

Published Jun 30, 2025• 0 citations
Publisher

Abstract

В работе формируются совместным магнетронным распылением плёнки NbxAl1-x для интегральных сверхпроводниковых однофотонных детекторов. Экспериментально определена зависимость поверхностного сопротивления плёнок Nb-Al от толщины, в диапазоне толщин от 10 до 400 нм зависимость имеет степенной характер. Выявлено, что при увеличении мощности магнетрона Nb от 150 до 550 Вт удельное сопротивление плёнок Nb75Al25 снижается с 337 до 156 мкОм∙см. Для плёнки Nb75Al25 толщиной 350 нм определена критическая температура TC =3,7 К и RRR300/10 = 1,047. В результате отжига в высоком вакууме при температуре 600 °C рентгеноаморфная плёнка Nb75Ge25 толщиной 100 нм, по данным XRD, кристаллизуется с образованием фазы нанокристаллического Nb, при этом сверхпроводящих свойств выше 1,7 К не обнаружено; плёнка толщиной 20 нм после отжига остаётся рентгеноаморфной. Экспериментально показано, что осаждение плёнки Nb80Al20 на нагретую подложку при 600 °C увеличивает ширину и снижает температуру сверхпроводящего перехода с 3,76 до 3,69 К.

DOI
10.22184/1993-8578.2025.18.11s.809.816

Related papers

Применение кремниевых лавинных фотодиодов для регистрации одиночных фотонов в установке по квантовой криптографии

Denis B. Tretyakov, A. V. Kolyako, A. S. Pleshkov

В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие долговременную стабильность работы нашей установки, которая генерирует квантовый ключ по протоколу BB84 с помощью поляризационного кодирования. Показано, что скорость генерации «просеянного» квантового ключа и уровень ошибочных битов в ключе оставались постоянными в течение 1 часа и равнялись 10 кбит/с и 6.5% (см. Рис.1), соответственно, при расстоянии между передатчиком и приемником, равном 20 см [2]. Приведены теоретические зависимости скорости генерации секретного квантового ключа от коэффициента пропускания квантового канала для детекторов одиночных фотонов, которые использовались в данном эксперименте, и новых детекторов с эффективностью регистрации 48% и частотой темновых импульсов 180 Гц.

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ•Sep 27, 2021•1 citation

ОБЪЕКТИВ С ЧИСЛОВОЙ АПЕРТУРОЙ 0.4 ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ ПИНЦЕТОВ АТОМОВ ИТТЕРБИЯ

Artem A. Golovizin

Приводится описание и характеристики разработанного широкоапертурного объектива для экспериментов с ультрахолодными атомами иттербия. Объектив состоит из стандартных моделей асферической линзы и ахроматического дублета, имеет числовую апертуру 0.4, рабочее расстояние 30–35 мм и скорректирован на вакуумное окно толщиной 5 мм. Экспериментально продемонстрировано формирование оптического пинцета на длине волны 759 нм с радиусом перетяжки 0.92 мкм и изображения плоскости оптических пинцетов на длине волны 556 нм с разрешением на уровне нескольких микрон. Разработанный объектив прост в изготовлении и подходит для применения в большом числе экспериментов (в том числе с атомами тулия), в которых геометрия вакуумной камеры требует использования объектива с большим рабочим расстоянием.

Instruments and Experimental Techniques•Jan 1, 2025•0 citations

ИССЛЕДОВАНИЕ АТАК С ЗАТРАВОЧНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ НА ВОЛОКОННЫЕ СИСТЕМЫ КРК

Бондарь К.Д., Сущев И.С., Булавкин Д.С. +4 more

В работе исследуются эффекты атак с затравочным излучением на передающую сторону систем КРК, которые до сих пор рассматривались в контексте оптической инжекционной синхронизации при малой частотной отстройке ведущих и ведомого лазеров. В настоящей работе продемонстрированы эффекты от подобной атаки в широком спектральном диапазоне X = 1275 -1650 нм.

Высшая школа: научные исследования•Oct 7, 2025•0 citations

Особенности селективного отражения лазерного излучения высокой интенсивности с использованием рубидиевой наноячейки

Armen D. Sargsyan, David G. Sarkisyan

Исследован эффект селективного отражения (SR) лазерного излучения от границы паров атомов 87Rb D2-линии и диэлектрического окна при использовании наноячейки с толщиной столба паров ~300 нм. Продемонстрировано формирование SR, имеющего спектральную ширину 25 МГц и расположенного на атомном переходе. Это – рекордное сужение доплеровской ширины 670 МГц в 27 раз при использовании однопроходной геометрии. Сигнал SR достигает несколько процентов от интенсивности его формирующего излучения, и линейная зависимость амплитуды SR сохраняется вплоть до 100 мВт/см2, что почти на два порядка больше интенсивности насыщения оптических процессов при использовании ячеек с парами атомов сантиметровой длины. Такая большая величина интенсивности насыщения достигается благодаря использованию наноячейки. The effect of selective reflection (SR) of laser radiation from the boundary of 87Rb D2- line atomic vapors and a dielectric window was studied using a nano-cell (NC) with a vapor column thickness of ~300 nm. The formation of an SR with a spectral width of 25 MHz, located on atomic transitions is demonstrated. This is a record narrowing of the 670 MHz Doppler width by a factor of 27 using single-pass geometry. The SR signal reaches several % of the intensity of its forming radiation and the linear dependence of the SR amplitude is maintained up to 100 mW/cm2, which is almost two orders of magnitude greater than the saturation intensity of optical processes when using centimeter-long cells with atomic vapor. Such a high value of saturation intensity is achieved due to the use of the nanocell.

Proceedings of NAS RA Physics•Nov 5, 2024•0 citations

Исследование режимов смешения туннельных сверхпроводниковых структур

К. В. Калашников, Anton A. Artanov, Л.В. Филиппенко +1 more

Экспериментально исследованы режимы работы туннельного перехода сверхпроводник--изолятор--сверхпроводник (СИС) на основе трехслойных структур Nb/AlOx/Nb и Nb/AlN/NbN в качестве гармонического смесителя (для частот порядка 600 и 20 GHz) и преобразователя частоты вверх (в диапазоне 0.1-5 GHz). Проведено сравнение квазичастичного и джозефсоновского режимов смешения. Показано, что в некоторых приложениях, таких как использование СИС-перехода в качестве криогенного гармонического фазового детектора, джозефсоновский режим может быть более предпочтительным, поскольку позволяет реализовать как больший сигнал, так и большее соотношение сигнал/шум по сравнению с квазичастичным. Также показана перспективность использования джозефсоновского режима смешения в системах мультиплексирования сигналов для сверхпроводниковых детекторов. Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (соглашение N 14.613.21.0046, идентификатор RFMEFI61315X0046).

Physics of the Solid State•Jan 1, 2016•0 citations

Резонансное рассеяние света оптическими фононами в кристалле алмаза с азотозамещенной вакансией

Б.Х. Байрамов, V. V. Toporov, F. B. Bayramov

Сообщается об обнаружении явления резонансного усиления интенсивности рассеяние света оптическими фононами в кристаллах алмаза c азотозамещенной вакансией. Установлено, что при этом определяющую роль в усиления интенсивности такого рассеяния играет процесс необычного резонанса с электронными переходами для оптически активных примесей азота с обеими бесфононными линиями: для нейтрального NV0-центра при 575.468 нм и для отрицательно заряженного NV--центра при 637.874 нм. Полученные экспериментальные данные указывают на обнаружение сильного резонансного усиления интенсивности во входном канале рассеяния для NV0-центра и в выходном канале для NV--центра. Ключевые слова: двойное резонансное рассеяние света, алмаз, NV-центр.

Физика и техника полупроводников•Jan 1, 2020•0 citations
В работе формируются совместным магнетронным распылением плёнки NbxAl1-x для интегральных сверхпроводниковых однофотонных детекторов. Экспериментально определена зависимость поверхностного сопротивления плёнок Nb-Al от толщины, в диапазоне толщин от 10 до 400 нм зависимость имеет степенной характер. Выявлено, что при увеличении мощности магнетрона Nb от 150 до 550 Вт удельное сопротивление плёнок Nb75Al25 снижается с 337 до 156 мкОм∙см. Для плёнки Nb75Al25 толщиной 350 нм определена критическая температура TC =3,7 К и RRR300/10 = 1,047. В результате отжига в высоком вакууме при температуре 600 °C рентгеноаморфная плёнка Nb75Ge25 толщиной 100 нм, по данным XRD, кристаллизуется с образованием фазы нанокристаллического Nb, при этом сверхпроводящих свойств выше 1,7 К не обнаружено; плёнка толщиной 20 нм после отжига остаётся рентгеноаморфной. Экспериментально показано, что осаждение плёнки Nb80Al20 на нагретую подложку при 600 °C увеличивает ширину и снижает температуру сверхпроводящего перехода с 3,76 до 3,69 К.
В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие долговременную стабильность работы нашей установки, которая генерирует квантовый ключ по протоколу BB84 с помощью поляризационного кодирования. Показано, что скорость генерации «просеянного» квантового ключа и уровень ошибочных битов в ключе оставались постоянными в течение 1 часа и равнялись 10 кбит/с и 6.5% (см. Рис.1), соответственно, при расстоянии между передатчиком и приемником, равном 20 см [2]. Приведены теоретические зависимости скорости генерации секретного квантового ключа от коэффициента пропускания квантового канала для детекторов одиночных фотонов, которые использовались в данном эксперименте, и новых детекторов с эффективностью регистрации 48% и частотой темновых импульсов 180 Гц.
Приводится описание и характеристики разработанного широкоапертурного объектива для экспериментов с ультрахолодными атомами иттербия. Объектив состоит из стандартных моделей асферической линзы и ахроматического дублета, имеет числовую апертуру 0.4, рабочее расстояние 30–35 мм и скорректирован на вакуумное окно толщиной 5 мм. Экспериментально продемонстрировано формирование оптического пинцета на длине волны 759 нм с радиусом перетяжки 0.92 мкм и изображения плоскости оптических пинцетов на длине волны 556 нм с разрешением на уровне нескольких микрон. Разработанный объектив прост в изготовлении и подходит для применения в большом числе экспериментов (в том числе с атомами тулия), в которых геометрия вакуумной камеры требует использования объектива с большим рабочим расстоянием.
В работе исследуются эффекты атак с затравочным излучением на передающую сторону систем КРК, которые до сих пор рассматривались в контексте оптической инжекционной синхронизации при малой частотной отстройке ведущих и ведомого лазеров. В настоящей работе продемонстрированы эффекты от подобной атаки в широком спектральном диапазоне X = 1275 -1650 нм.
Исследован эффект селективного отражения (SR) лазерного излучения от границы паров атомов 87Rb D2-линии и диэлектрического окна при использовании наноячейки с толщиной столба паров ~300 нм. Продемонстрировано формирование SR, имеющего спектральную ширину 25 МГц и расположенного на атомном переходе. Это – рекордное сужение доплеровской ширины 670 МГц в 27 раз при использовании однопроходной геометрии. Сигнал SR достигает несколько процентов от интенсивности его формирующего излучения, и линейная зависимость амплитуды SR сохраняется вплоть до 100 мВт/см2, что почти на два порядка больше интенсивности насыщения оптических процессов при использовании ячеек с парами атомов сантиметровой длины. Такая большая величина интенсивности насыщения достигается благодаря использованию наноячейки. The effect of selective reflection (SR) of laser radiation from the boundary of 87Rb D2- line atomic vapors and a dielectric window was studied using a nano-cell (NC) with a vapor column thickness of ~300 nm. The formation of an SR with a spectral width of 25 MHz, located on atomic transitions is demonstrated. This is a record narrowing of the 670 MHz Doppler width by a factor of 27 using single-pass geometry. The SR signal reaches several % of the intensity of its forming radiation and the linear dependence of the SR amplitude is maintained up to 100 mW/cm2, which is almost two orders of magnitude greater than the saturation intensity of optical processes when using centimeter-long cells with atomic vapor. Such a high value of saturation intensity is achieved due to the use of the nanocell.
Экспериментально исследованы режимы работы туннельного перехода сверхпроводник--изолятор--сверхпроводник (СИС) на основе трехслойных структур Nb/AlOx/Nb и Nb/AlN/NbN в качестве гармонического смесителя (для частот порядка 600 и 20 GHz) и преобразователя частоты вверх (в диапазоне 0.1-5 GHz). Проведено сравнение квазичастичного и джозефсоновского режимов смешения. Показано, что в некоторых приложениях, таких как использование СИС-перехода в качестве криогенного гармонического фазового детектора, джозефсоновский режим может быть более предпочтительным, поскольку позволяет реализовать как больший сигнал, так и большее соотношение сигнал/шум по сравнению с квазичастичным. Также показана перспективность использования джозефсоновского режима смешения в системах мультиплексирования сигналов для сверхпроводниковых детекторов. Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (соглашение N 14.613.21.0046, идентификатор RFMEFI61315X0046).
Сообщается об обнаружении явления резонансного усиления интенсивности рассеяние света оптическими фононами в кристаллах алмаза c азотозамещенной вакансией. Установлено, что при этом определяющую роль в усиления интенсивности такого рассеяния играет процесс необычного резонанса с электронными переходами для оптически активных примесей азота с обеими бесфононными линиями: для нейтрального NV0-центра при 575.468 нм и для отрицательно заряженного NV--центра при 637.874 нм. Полученные экспериментальные данные указывают на обнаружение сильного резонансного усиления интенсивности во входном канале рассеяния для NV0-центра и в выходном канале для NV--центра. Ключевые слова: двойное резонансное рассеяние света, алмаз, NV-центр.