Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
ИССЛЕДОВАНИЕ УЗКОПОЛОСНОГО N-РЕЗОНАНСА, ФОРМИРУЕМОГО В ТОНКИХ АТОМАРНЫХ СЛОЯХ РУБИДИЯ
R. Mirzoyan, Armen D. Sargsyan, David G. Sarkisyan
Abstract
Исследован узкополосный N-резонанс, формируемый в А-системе атомов рубидия Di-линии, при наличии буферного газа неона и излучения двух непрерывных узкополосных диодных лазеров. Использовались специальные ячейки, с помощью которых исследовалась зависимость процесса от толщины L столба паров в милли-, микро- и нанометровой областях. Проведенное сравнение зависимостей N-резонанса и резонанса электромагнитно-индуцированной прозрачности (ЭИП) от L показали: минимальная (рекордно малая) толщина, при которой регистрируется N-резонанс составляет L = 50 мкм, в то время как контрастный ЭИП-резонанс легко формируется даже при L к 800 нм. Показано, что N-резонанс в магнитном поле для атомов 85Rb расщепляется на пять или шесть компонент (в зависимости от направлений магнитного поля и лазерного излучения). Полученные результаты указывают на то, что в формировании N-резонанса начальным и конечным уровнями являются нижние уровни Fg = 2,3. Проведено исследование зависимости N-резонанса от угла между лазерными пучками. Отмечены практические применения.