Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Log inSign up
Challenges
Datasets
Workspaces
Papers
Discussions
Leaderboard
Blog
Job Board
Q3AS

© 2026 Aqora Quantum S.A.S.

TermsPrivacyLegal Notice

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия

Степихова Маргарита Владимировна, Д.М. Жигунов, Шенгуров Владимир Геннадьевич, В.Ю. Тимошенко, Л.В. Красильникова, V. Yu. Chalkov, Светлов Сергей Петрович, О.А. Шалыгина, П.К. Кашкаров, Z. F. Krasil’nik

Published Jan 1, 2005• 0 citations
OpenAlex

Related papers

Экспресс-метод оценки эффективности передачи энергии возбуждения между ионами иттербия и эрбия в заготовке активного волокна

А.С. Смирнов, Konstantin Latkin, Ya. E. Sadovnikova +2 more

Optoelectronics Instrumentation and Data Processing•Jan 1, 2015•0 citations

Инверсная населенность и вынужденное излучение на резонансном переходе атомов рубидия при оптико-столкновительном заселении

Т С Бимагамбетов

Ключевые проблемы современной науки•Apr 19, 2011•0 citations

Спектры оптического поглощения и схема уровней энергии ионов Er-=SUP=-3+-=/SUP=- в объемных кристаллах нитрида алюминия

Н. К. Полетаев, Alexander P. Skvortsov

Исследованы спектры поглощения ионов Er3+, внедренных в матрицу AlN. Примесь эрбия вводилась в объемные кристаллы AlN диффузией. В спектральном диапазоне 370-700 nm наблюдались линии поглощения, связанные с внутриконфигурационными электронными f-f-переходами из основного 4I15/2-состояния на уровни возбужденных состояний ионов Er3+. При температуре T=2 K детально исследованы переходы на уровни состояний 4F9/2, 2H11/2, 4F7/2, 4F5/2, 2H9/2 и 4G11/2. Количество наблюдавшихся линий для указанных переходов полностью совпадает с теоретически возможным для электронных f-f-переходов в ионах Er3+, находящихся в кристаллическом поле с симметрией ниже кубической. Узость наблюдавшихся линий и их число убедительно свидетельствуют о замещении ионами эрбия преимущественно одной регулярной кристаллической позиции. Наиболее вероятным представляется внедрение Er3+ в позицию Al3+ с локальной симметрией C3v. Определены энергетические положения уровней возбужденных состояний для исследованных переходов. Построена схема уровней энергии ионов Er3+ в кристаллах AlN. DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45236.175

Physics of the Solid State•Jan 1, 2017•0 citations

Измеримость квантовых полей и соотношение неопределённостей энергия - время

Михаил Борисович Менский

Uspekhi Fizicheskih Nauk•May 1, 2011•0 citations

Воспроизводимость информации в отклике стимулированного фотонного эха при различной ориентации внешних пространственно неоднородных электрических полей

Г. И. Гарнаева, L. A. Nefedev, É. I. Khakimzyanova +1 more

Оптика и спектроскопия•Jan 1, 2014•0 citations

Оператор энергии и соотношение неопределенностей для энергии и времени в квантовой механике

Давыдов Александр Петрович

Инновации в науке•Jan 1, 2015•0 citations
Исследованы спектры поглощения ионов Er3+, внедренных в матрицу AlN. Примесь эрбия вводилась в объемные кристаллы AlN диффузией. В спектральном диапазоне 370-700 nm наблюдались линии поглощения, связанные с внутриконфигурационными электронными f-f-переходами из основного 4I15/2-состояния на уровни возбужденных состояний ионов Er3+. При температуре T=2 K детально исследованы переходы на уровни состояний 4F9/2, 2H11/2, 4F7/2, 4F5/2, 2H9/2 и 4G11/2. Количество наблюдавшихся линий для указанных переходов полностью совпадает с теоретически возможным для электронных f-f-переходов в ионах Er3+, находящихся в кристаллическом поле с симметрией ниже кубической. Узость наблюдавшихся линий и их число убедительно свидетельствуют о замещении ионами эрбия преимущественно одной регулярной кристаллической позиции. Наиболее вероятным представляется внедрение Er3+ в позицию Al3+ с локальной симметрией C3v. Определены энергетические положения уровней возбужденных состояний для исследованных переходов. Построена схема уровней энергии ионов Er3+ в кристаллах AlN. DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45236.175