광전자 계수법을 이용하여 준열광원에서 방출되는 빛의 광전자 분포를 측정하였다. 준열광원은 선편광된 He-Ne 레이저빔을 9 ㎛의 거칠기로 표면이 연마된 유리판에 투과시킨 것으로, 연마유리판의 회전속도에 따라 결맞음시간은 31.4 ㎲로 부터 2.48 ㎲까지 변화는 특성을 갖는다. 준열광원의 결맞음시간보다 측정시간이 매우 길 때 광전자 분포는 Poisson 분포를 나타내었으나 측정시간보다 광원의 결맞음시간이 길어질수록 광전자 분포는 Bose-Einstein 통계를 보였다.