Простейшие атомные системы в резонансных лазерных полях

В.В. Лиханский

Амплиев Андрей Евгеньевич

В.А. АСТАПЕНКО, МОРОЗ Н.Н.

Stepan N. Balybin, О. В. ТИХОНОВА

А. И. Магунов, V. G. Pal'chikov

На основе уравнений для матрицы плотности проведен анализ эволюции заселенностей магнитных подуровней атома цезия (изотопа 133) в резонансных лазерных полях с линейной поляризацией. Получены аналитические выражения для стационарных заселенностей в результате лазерно-индуцированных оптических переходов на компонентах сверхтонкой структуры F g = 3 ↔ F e = 2,3 и F f = 4 ↔ F e = 3,4 линий D 1 (6 2S 1/2 -)→ 6 2P 1/2) и D 2 (6 2S 1/2 -)→ 6 2P 3/2) в зависимости от начальных значений заселенностей. Численным решением эволюционных уравнений получены характерные времена установления стационарного режима в зависимости от интенсивности лазерных полей и расстройки оптического резонанса. Определены последовательности оптических переходов, более чем на порядок увеличивающие заселенность нижнего подуровня 6 2S 1/2F g = 3 М = 0 «часового» СВЧ-перехода F g = 3 М = 0 ↔ F f = 4 М = 0 в цезиевом стандарте частоты, что пропорционально повышает величину сигнала регистрирующей системы

I. A. Kovalishin, Sergey Yu Stremoukhov, P.A. Fors +2 more

Представлено аналитическое рассмотрение динамики населенности уровней квантового мемристора на ультрахолодных ионах Yb в случае, когда импульсы воздействующих резонансных к переходам между уровнями лазерных полей существенно разделены во времени. Показано, что в этом случае динамика населенностей уровней, а также управляющий параметр мемристора могут быть вычислены аналитически. Сравнение полученных зависимостей с прямым численным решением системы уравнений для амплитуд населенностей уровней демонстрирует хорошее совпадение.